直拉单晶硅棒从拉晶炉出炉后，要经过截断、开方、磨面、切片、倒角、研磨、抛光、清洗八道工序才能成为合格硅片。其中截断、开方、切片三个”切”的环节决定了硅损耗率，是金刚石线锯大显身手的环节。
八道工序详解
- 截断：切除晶棒头尾不合格部分并分段，使用硅棒截断机（如 ESC600-4T）环形金刚石线切割，速度快、切缝小；
- 开方：把圆形晶棒切成带倒角的方棒（光伏）或保留圆棒（半导体），决定后续硅片形状；
- 磨面：外圆/平面磨削，保证尺寸精度和表面质量；
- 切片：光伏用多线切割机一次切数百片，半导体小批量用环线锯精密切片；
- 倒角：磨削硅片边缘，防止后续工序崩边；
- 研磨：双面研磨去除切片损伤层，控制 TTV；
- 抛光：化学机械抛光（CMP）获得镜面，半导体片需双面抛光；
- 清洗检测：RCA 清洗去除颗粒金属污染，检测入库。
切割环节的损耗账
以光伏硅片为例，切片环节的硅损耗（锯缝+损伤层）约占硅料的 25–35%。线径每细 0.05mm，每千克硅料可多切约 2–3 片，这就是行业拼命细线化的原因。
常见问题
光伏硅片和半导体硅片加工流程一样吗？
前半段（截断开方切片）基本相同；半导体片多了倒角、双面研磨、CMP 抛光、外延等工序，精度要求高一个数量级。
截断为什么要用环线锯而不是带锯？
环线锯切缝窄（0.5mm 级 vs 带锯 1.5mm+）、切面平整无振纹、硅损耗小，且可无人值守连续切割。