4H-SiC 单晶有明显的各向异性：c 面（0001）是衬底工作面，沿不同晶向切割，崩边倾向、表面损伤层深度和后续研磨去除量差异显著。切割方向选错，良率可能掉 20% 以上。
先定向，再切割
SiC 晶锭切片前必须用 X 射线定向仪确定晶向：主参考面（flat）通常为 [11-20] 方向，切割面与 c 面的偏角（off-angle，通常 4° 偏向 [11-20]）直接决定外延质量。切片设备的角度调整精度要达到 ±0.05°。
切割方向对质量的影响
- 沿解理倾向小的方向进给，崩边率明显更低；
- 进给方向与磨粒运动方向的夹角影响表面条纹走向，进而影响研磨均匀性；
- 大偏角切片时 TTV 控制难度上升，需要更稳定的线弓控制。
环线锯切 SiC 的参数基线
- 线径 0.25–0.35mm（细线省料，SiC 衬底每片价值数百美元）；
- 线速 30–45m/s，进给 0.5–3mm/min——SiC 硬度 9.2，进给必须保守；
- 切削液精细过滤（5μm 以下），防止磨屑二次划伤。
SiC 完整加工流程见碳化硅从晶体生长到晶圆的完整流程。
常见问题
SiC 切片为什么不用内圆锯？
内圆锯切缝宽（0.3mm 刀片+振动）、损伤层深，切 6 英寸以上 SiC 晶锭良率低，行业已全面转向金刚石线工艺。
切割方向错了能补救吗？
偏角偏差小可靠研磨修正（牺牲厚度），偏差大则衬底报废，所以定向工序必须双人复核。